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哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW

數(shù)量(臺)	價格
22	22112.00元/臺

最小起訂： 1臺
發(fā)貨地址：上海嘉定區(qū)
發(fā)布日期：2024-04-16
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詳細參數(shù)
品牌	HarmonicDrive	型號	CSF-17-80-2UH-LW
類型	諧波減速器	載荷狀態(tài)	強沖擊載荷
傳動比級數(shù)	單級	軸的相對位置	立式加速器
傳動布置形式	擺線式	加工定制	否
樣品或現(xiàn)貨	現(xiàn)貨	齒面硬度	軟齒面
布局形式	擺線式	用途	變速機
輸入轉速	1450rpm	額定功率	360kw
輸出轉速范圍	111rpm	許用扭矩	1782N.m
使用范圍	工業(yè)	減速比	432
產(chǎn)地	日本

產(chǎn)品詳情

氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO₂氧化膜。SiO₂在微電子和微系統(tǒng)中的主要應用包括：哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW鈍化晶體表面，形成化學和電的穩(wěn)定表面，即器件表面保護或鈍化膜；作為后續(xù)工藝步驟（擴散或離子注入）的掩模（摻雜掩模、刻蝕掩模）；形成介質(zhì)膜用于器件間的隔離哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW或作器件結構中的絕緣層（非導電膜）；在襯底或其他材料間形成界面層（或犧牲層）。

化學氣相淀積是利用氣態(tài)的先驅反應物，以某種方式激活后，通過原子或分子間化學反應的途徑在襯底上淀積生成固態(tài)薄膜的技術。CVD膜的結構可以是單晶、多晶或非晶態(tài)。利用CVD可獲得高純的晶態(tài)或非晶態(tài)的金屬哈默納科原子集成諧波 CSF-17-80-2UH-LW、半導體、化合物薄膜，能有效控制薄膜化學成分，且設備運轉成本低，與其他相關工藝有較好的相容性。