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離子植入(IonImplantation)? 在擴散制程的末尾描述中哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R,曾題及擴散區(qū)域之邊緣所在,有側(cè)向擴散的誤差,故限制其在次微米制程上之應(yīng)用。但誠如干蝕法補足哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R濕蝕法在次微米制程能力不足一樣,此地另有離子植入法,來進(jìn)行圖案更精細(xì),濃度更為稀少精準(zhǔn)的雜值攙入。? 離子植入法是將III族或IV族之雜質(zhì),以離子的型式,經(jīng)加速后沖擊進(jìn)入晶圓表面,經(jīng)過一段距離后,大部份停于離晶圓表面0.1微米左右哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-14-100-2A-R之深度(視加速能量而定),故最高濃度的地方,不似熱擴散法在表面上。