產(chǎn)品詳情
臺(tái)達(dá)N-1K是一種高性能的不間斷電源（UPS），為風(fēng)力發(fā)電廠提供了可靠、高效的電力保障。以下是關(guān)于臺(tái)達(dá)N-1K在風(fēng)力發(fā)電廠應(yīng)用的分析。
一、臺(tái)達(dá)N-1K的特點(diǎn)
臺(tái)達(dá)N-1K的額定容量為1kVA，具有體積小、重量輕、便于搬運(yùn)的特點(diǎn)。其特有的“在線互動(dòng)式”設(shè)計(jì)使得它能夠在各種電力環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的電力輸出。其特有的靜音設(shè)計(jì)和節(jié)能模式更符合風(fēng)力發(fā)電廠的實(shí)際需求。
二、臺(tái)達(dá)N-1K在風(fēng)力發(fā)電廠的應(yīng)用
在風(fēng)力發(fā)電廠中，臺(tái)達(dá)N-1K的可靠性得到了充分的體現(xiàn)。由于風(fēng)力發(fā)電的特性，風(fēng)能的不穩(wěn)定性會(huì)對(duì)發(fā)電機(jī)的輸出造成影響。而臺(tái)達(dá)N-1K能夠?qū)⑦@種不穩(wěn)定性控制在最小范圍內(nèi)。在斷電或者電壓不穩(wěn)定的情況下，臺(tái)達(dá)N-1K可以提供至少8分鐘的穩(wěn)定電力供應(yīng)，確保風(fēng)力發(fā)電廠的設(shè)備安全。
此外，臺(tái)達(dá)N-1K的節(jié)能模式也得到了風(fēng)力發(fā)電廠的認(rèn)可。在節(jié)能模式下，它可以有效地降低能源消耗，符合國家對(duì)于節(jié)能減排的政策要求。
三、臺(tái)達(dá)N-1K的應(yīng)用價(jià)值
臺(tái)達(dá)N-1K為風(fēng)力發(fā)電廠帶來的價(jià)值不僅僅體現(xiàn)在電力保障上。它的高效性、穩(wěn)定性和節(jié)能性為發(fā)電廠帶來了實(shí)實(shí)在在的經(jīng)濟(jì)效益。首先，其高效的電力轉(zhuǎn)換率減少了能源的浪費(fèi)，降低了運(yùn)營成本。其次，其穩(wěn)定的性能保證了設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)，減少了因電力問題導(dǎo)致的設(shè)備故障和停機(jī)損失。最后，其節(jié)能模式進(jìn)一步降低了能源消耗，降低了運(yùn)營成本。
四、結(jié)論
綜上所述，臺(tái)達(dá)N-1K以其卓越的性能和可靠的表現(xiàn)，為風(fēng)力發(fā)電廠提供了高效、穩(wěn)定的電力保障。在風(fēng)力發(fā)電廠中，臺(tái)達(dá)N-1K的價(jià)值不僅體現(xiàn)在電力供應(yīng)上，更體現(xiàn)在其對(duì)設(shè)備的保護(hù)和經(jīng)濟(jì)效益的提升上。因此，臺(tái)達(dá)N-1K不間斷電源是風(fēng)力發(fā)電廠理想的電力解決方案。
集成驅(qū)動(dòng)電路
1 IR2125芯片驅(qū)動(dòng)電路。IR2125是一種單片高壓高速單通道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，它包括輸入/輸出邏輯、保護(hù)電路、電平移位電路、輸出驅(qū)動(dòng)和自舉電源等部分。VD1
可達(dá)500v 圖2-44給出了IR2125的典型驅(qū)動(dòng)電路。其浮置電壓是通過一個(gè)自舉電路從固定電源來的。圖中的充電二極管VD1的耐壓必須大于高IN 壓直流母線上的尖峰電壓，為防止自舉電容C 去負(fù)載放電，必須使用快恢復(fù)二極管。自舉電容C3 圖2-44IR2125的典型驅(qū)動(dòng)電路的大小與開關(guān)頻率、占空比和被驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的柵極電荷要求有關(guān)，電容C3上的電壓降不能低于欠壓鎖定門限。的旁路電容C1和C2應(yīng)能為自舉電源提供足夠的瞬態(tài)電流。C1和C2的值一般取自舉電容C3值的10倍左右。IR2130芯片驅(qū)動(dòng)電路。IR2130可直接驅(qū)動(dòng)中小容量的功率MOSFET。它有六路輸入信號(hào)和輸出信號(hào)，其中六路輸出信號(hào)中的三路具有電平轉(zhuǎn)換功能，因而IR2130芯片驅(qū)動(dòng)電路既能驅(qū)動(dòng)橋式電路中低壓側(cè)的功率器件，又能驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率元件。也就是說，該驅(qū)動(dòng)器可共地運(yùn)行，且只需一路控制電源，而常規(guī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通常包括光電隔離器件或者脈沖變壓器，同時(shí)還必須向驅(qū)動(dòng)電路提供相應(yīng)的隔離電源。圖2-45所示為IR2130在直流永磁無刷電機(jī)控制系統(tǒng)中的應(yīng)用電路圖。UC3625為無刷直流電機(jī)控制器，其H、H2、H為轉(zhuǎn)子位置檢測輸入端，其輸出端的信號(hào)經(jīng)電平變換后送至IR2130輸入端，再經(jīng)三相橋式逆變電路后驅(qū)動(dòng)電機(jī)，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速或轉(zhuǎn)矩調(diào)節(jié)。UC3724/3725芯片驅(qū)動(dòng)電路。UC3724/3725一起配對(duì)組成隔離的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，特別適合于驅(qū)動(dòng)全橋變換器的高M(jìn)OSFET，典型應(yīng)用電路如圖2-46所示。2-46 UC3724/3725配對(duì)典型應(yīng)用電路該電路驅(qū)動(dòng)參數(shù)如下: a.200m W平均柵極驅(qū)動(dòng)功率；b.100kHz的開關(guān)頻率；c15V供電: d. 1kV的隔離電壓。(4)實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路舉例1正反饋型驅(qū)動(dòng)電路。如圖2-47所示為正反饋型驅(qū)動(dòng)電路。正反饋信號(hào)的獲得是二次繞組W3實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，反相器I的輸出為高電平，在該驅(qū)動(dòng)信號(hào)用下出現(xiàn)漏極電流，此時(shí)一次繞組W，中感生出星號(hào)端為正的反電動(dòng)勢，在變壓器二次w3中也感生出相應(yīng)極性的電勢，并通過R1 率MOSFET 的輸入電容充電，隨著功MOSFET的導(dǎo)通不停地給柵極施以正反饋，了功率MOSFET的開通過程，縮短了開通時(shí)當(dāng)輸人信號(hào)為低電平時(shí)，使功率MOSFET關(guān)反相器I輸出高電平并使輔助管FETA開通而將功率MOSFET的柵極接地，迫使其輸容迅速放電，加速功率MOSFET的關(guān)斷速由此可見這種電路是一種高速開關(guān)電路。窄脈沖自保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路。如圖2-48所
一種具有過載和短路保護(hù)功能的窄脈沖驅(qū)動(dòng)電當(dāng)輸入信號(hào)1；由低變高時(shí)，晶體管VT1導(dǎo)脈沖變壓器一次繞組上的電壓為電源電壓Vc1在電阻R2、R3上取得的分壓值。脈沖變壓器可以做得很小，故在很短時(shí)間內(nèi)就會(huì)飽和，耦合到其二次繞組的電壓是一個(gè)正向尖脈沖，該尖脈沖使VT2導(dǎo)通，VT2、VT3組成兩級(jí)正反饋互鎖電路，由于互鎖作用VT2、VT3將保持導(dǎo)通，因而VT4通使功率MOSFET導(dǎo)通。當(dāng)V；由高電平變低時(shí)，脈沖變壓器一次側(cè)磁恢復(fù)，在二次側(cè)感應(yīng)出一個(gè)負(fù)向尖脈沖，使VT2截止，從而使VT3、VT4截止，VT5瞬時(shí)導(dǎo)通，關(guān)斷功率MOSFET。在該電路中R6、VD3、VD4}構(gòu)成自保護(hù)驅(qū)動(dòng)。參考點(diǎn)A的電位由電阻R4、R5分壓獲得，在正常工作時(shí)功率MOSFET的漏極D點(diǎn)電位低于A點(diǎn)電位，因而二極管VD4截止，電源Vc2經(jīng)電阻R6、二極管VD3到功率MOSFET流過電流。當(dāng)短路或過載時(shí)，功率MOSFET的VDs上升，當(dāng)VD=VA時(shí)，二極管VD4導(dǎo)通，R6和R8 上的分壓使A點(diǎn)電位升高，由VT2、VT3構(gòu)成的互鎖電路翻轉(zhuǎn)，使VT5瞬時(shí)導(dǎo)通，關(guān)斷功率MOSFET，使之得到有效保護(hù)。
圖2-48具有過載和短路保護(hù)功能的窄脈沖驅(qū)動(dòng)電路
圖2-49窄脈沖MOS化驅(qū)動(dòng)電路
窄脈沖MOS化驅(qū)動(dòng)電路?？梢岳没ユi電路的保持功能實(shí)現(xiàn)用窄脈沖驅(qū)動(dòng)功率MOSFET?；ユi電路由兩個(gè)小功率MOSFET管的柵源交叉連接組成，如圖2-49所示。這樣組成了一個(gè)無源雙穩(wěn)態(tài)電路，C{1、C2、C是儲(chǔ)能元件，它們可以是外接電容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生電容。在輸人信號(hào)v；的上升沿，脈沖變壓器的二次側(cè)產(chǎn)生一個(gè)正向尖脈沖使C1充電，VT1開通，C_2通過VT放電使VT2關(guān)斷，C由窄脈沖通過R8充電使功率MOSFET導(dǎo)通。反之，在輸入信號(hào):的下降沿，脈沖變壓器的二次側(cè)產(chǎn)生一個(gè)負(fù)向尖脈沖使C2充電VT2導(dǎo)通，C1和C通過VT2放電，最終VT 和功率MOSFET關(guān)斷。增大C1、C2或改變Rg還可以對(duì)導(dǎo)通及關(guān)斷時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)電路開始接電時(shí)，VT1、VT2、功率MOSFET均處于關(guān)斷狀態(tài)，由于功率MOSFET的柵極都處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，極易因干擾或噪聲而使電容C1和C2充電，造成功率MOSFET誤導(dǎo)通。為此設(shè)置了電阻Rd、C2,通過Rd對(duì)C2自動(dòng)充電保證功率MOSFET處于關(guān)斷
狀態(tài)。
