產(chǎn)品詳情
?1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ～ 150) ℃ SPM 具有 很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并 能把有機物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅 片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬，但是 當(dāng)有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去 除。
?2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ～ 25) ℃ DHF 可 以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧 化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時 DHF 抑制 了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面 的 Al，F(xiàn)e，Zn，Ni 等金屬，DHF 也可以去除附著在自 然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時，在自 然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。
( 3 ) APM ( SC － 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ～ 80) ℃由于 H2O2 的作用，硅片表面有一層自然氧化 膜( SiO2 ) ，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗 液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便 落入 清 洗 液 中，從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時，H2O2 又在氧化硅片 表面形成新的氧化膜。
( 4) HPM( SC － 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ～ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫 下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。
?5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水，UPW 采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的 沖洗液［3］。
