銀茂微IGBT電力模塊型號GMT150PI120T4M現(xiàn)貨

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第10年

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詳細(xì)參數(shù)
品牌銀茂微型號GMT150PI120T4M
用途開關(guān) 封裝外形直插
材料IGBT絕緣柵比極相數(shù)三相
控制方式脈沖寬度調(diào)制（PWM）主電路形式全橋式
頻率高頻加工定制否
導(dǎo)電溝道N溝道導(dǎo)電方式增強(qiáng)型

產(chǎn)品詳情

       IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電樂驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件并兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度閃快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。



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